MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200℃,用直流加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。

MOCVD系統(tǒng)組成分為幾部分：

因為MOCVD生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的MOCVD設(shè)備是不同的。 一般由 源供給系統(tǒng) 、氣體輸運和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護報警系統(tǒng)、自動操作及電控系統(tǒng)。

【源供給系統(tǒng)】

包括Ⅲ族金屬有機化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運到反應(yīng)室。為了保證金屬有機化合物有恒定的蒸汽壓，源瓶置入電子恒溫器中，溫度控制精度可達0.2℃以下。氫化物一般是經(jīng)高純H2稀釋到濃度5%一10%后，裝入鋼瓶中，使用時再用高純H2稀釋到所需濃度后，輸運到反應(yīng)室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機化合物，另一類是氫化物，其輸運方法分別與金屬有機化合物源和氫化物源的輸運相同。

【氣體輸運系統(tǒng)】

氣體的輸運管都是不銹鋼管道。為了防止存儲效應(yīng)，管內(nèi)進行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，并進行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測，保證反應(yīng)系統(tǒng)無泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一。流量是由不同量程、響應(yīng)時間快、精度高的質(zhì)量流量計和電磁閥、氣動閥等來實現(xiàn)。在真空系統(tǒng)與反應(yīng)室之間設(shè)有過濾器，以防油污或其它顆粒倒吸到反應(yīng)室中。為了迅速變化反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體，而且不引起反應(yīng)室內(nèi)壓力的變化，設(shè)置“run”和“vent”，管道。

【反應(yīng)室和加熱系統(tǒng)】

反應(yīng)室是由石英管和石墨基座組成。為了生長組分均勻、超薄層、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料，各生產(chǎn)廠家和研究者在反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的設(shè)計上下了很大功夫，設(shè)計出了不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室。石墨基座是由高純石墨制成，并包裹SIC層。加熱多采用高頻感應(yīng)加熱，少數(shù)是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來控制溫度，一般溫度控制精度可達到0.2℃或更低。

【尾氣處理系統(tǒng)】

反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進行處理，處理方法主要有高溫?zé)峤鉅t再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。

【安全保護及報警系統(tǒng)】

為了安全，一般的MOCVD系統(tǒng)還備有高純從旁路系統(tǒng)，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時，通入純N2保護生長的片子或系統(tǒng)內(nèi)的清潔。在停止生長期間也有常通高純N2保護系統(tǒng)。

【手動和自動控制系統(tǒng)】

一般MOCVD設(shè)備都具有手動和微機自動控制操作兩種功能。在控制系統(tǒng)面板上設(shè)有閥門開關(guān)、各個管路氣體流量、溫度的設(shè)定及數(shù)字顯示，如有問題會自動報警，是操作者能及時了解設(shè)備運轉(zhuǎn)的情況。此外，MOCVD設(shè)備一般都設(shè)在具有強排風(fēng)的工作室內(nèi)。